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光有源器件

時(shí)間:2010-07-08來源:輝鵬網(wǎng)絡(luò) 作者:hpn 點(diǎn)擊:
內(nèi)容提要: 光有源器件,光有源器件的研究與開發(fā)本來是一個(gè)最為活躍的領(lǐng)域,在集成器件,垂直腔面發(fā)射激光器,窄帶響應(yīng)可調(diào)諧集成光子探測(cè)器,基于硅基的異質(zhì)材料的多量子阱
  

  光有源器件,光有源器件的研究與開發(fā)本來是一個(gè)最為活躍的領(lǐng)域,在集成器件,垂直腔面發(fā)射激光器,窄帶響應(yīng)可調(diào)諧集成光子探測(cè)器,基于硅基的異質(zhì)材料的多量子阱器件與集成等方面有著重大的成就。(導(dǎo)讀:光無源器件

  但由于前幾年已取得輝煌的成果,所以當(dāng)今的活動(dòng)空間已大大縮小。超晶格結(jié)構(gòu)材料與量子阱器件,目前已完全成熟,而且可以大批量生產(chǎn),已完全商品化,如多量子阱激光器(MQW-LD,MQW-DFBLD)。

  目前光有源器件已在下列幾方面取得重大成就:

  1. 集成器件

  這里主要指光電集成(OEIC)已開始商品化,如分布反饋激光器(DFB-LD)與電吸收調(diào)制器(EAMD)的集成,即DFB-EA,已開始商品化;其它發(fā)射器件的集成,如DFB-LD、MQW-LD分別與MESFET或HBT或HEMT的集成;接收器件的集成主要是PIN、金屬、半導(dǎo)體、金屬探測(cè)器分別與MESFET或HBT或HEMT的前置放大電路的集成。雖然這些集成都已獲得成功,但還沒有商品化。

  2. 垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

  由于便于集成和高密度應(yīng)用,垂直腔面發(fā)射激光器受到廣泛重視。這種結(jié)構(gòu)的器件已在短波長(zhǎng)(ALGaAs/GaAs)方面取得巨大的成功,并開始商品化;在長(zhǎng)波長(zhǎng)(InGaAsF/InP)方面的研制工作早已開始進(jìn)行,目前也有少量商品?梢詳嘌,垂直腔面發(fā)射激光器將在接入網(wǎng)、局域網(wǎng)中發(fā)揮重大作用。

  3. 窄帶響應(yīng)可調(diào)諧集成光子探測(cè)器

  由于DWDM光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)信道間隔越來越小,甚至到0.1nm。為此,探測(cè)器的響應(yīng)譜半寬也應(yīng)基本上達(dá)到這個(gè)要求。恰好窄帶探測(cè)器有陡銳的響應(yīng)譜特性,能夠滿足這一要求。集F-P腔濾波器和光吸收有源層于一體的共振腔增強(qiáng)(RCE)型探測(cè)器能提供一個(gè)重要的全面解決方案。

  4. 基于硅基的異質(zhì)材料的多量子阱器件與集成(SiGe/Si MQW)

  這方面的研究是一大熱點(diǎn)。眾所周知,硅(Si)、鍺(Ge)是簡(jiǎn)接帶源材料,發(fā)光效率很低,不適合作光電子器件,但是Si材料的半導(dǎo)體工藝非常成熟。于是人們?cè)O(shè)想,利用能帶剪裁工程使物質(zhì)改性,以達(dá)到在硅基基礎(chǔ)上制作光電子器件及其集成(主要是實(shí)現(xiàn)光電集成,即OEIC)的目的,這方面已取得巨大成就。在理論上有眾多的創(chuàng)新,在技術(shù)上有重大的突破,器件水平日趨完善。


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